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以氧化石墨烯为酸催化剂制备2,5-二甲基-N-苯基吡咯

陈春燕 , 郭晓亚 , 吕广强 , Christian Marcus Pedersen , 乔岩 , 侯相林 , 王英雄

新型炭材料 doi:10.1016/S1872-5805(17)60113-6

介绍了氧化石墨烯作为一种高效且可回收的催化剂应用于2,5-己二酮与苯胺通过Paal-Knorr缩合反应合成N-取代吡咯.研究了反应时间、反应温度、溶剂、催化剂用量以及苯胺与2,5-己二酮的摩尔比对2,5-二甲基-N-苯基吡咯收率的影响.通过原位核磁技术在分子水平上跟踪了Paal-Knorr缩合的反应过程.结果表明在25 ℃下通过氧化石墨烯的催化作用反应6 h后吡咯的最大收率可达到90%.氧化石墨烯易回收,且经5次回收使用后还能表现出很好的循环使用性和高催化性能.

关键词: 氧化石墨烯 , Paal-Knorr , 吡咯 , 非均相酸催化 , 原位核磁

二氨基二苯并-14-冠-4的合成与表征

郭凯 , 张淑媛 , 何可可 , 郑世军 , 张腾 , 阎涛 , 李自法

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2002.04.007

通过改进的Pedersen方法合成了二苯并-14-冠-4,经硝化合成了二硝基二苯并-14-冠-4,然后用Pd/C还原得到了二氨基二苯并-14-冠-4.中间体和产物的结构通过红外光谱和核磁共振等方法确证.并通过 1H NMR、 13C NMR和分子力学计算法研究了二氨基二苯并-14-冠-4的2种异构体的空间结构.结果表明,与其所示的化学结构相一致,存在顺、反2种异构体.

关键词: 二硝基二苯并冠醚 , 二氨基二苯并冠醚 , 合成

LED阵列的设计和制作工艺研究

梁静秋 , 李佳 , 王维彪

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.004

根据AlGaInP外延片的结构特点设计了LED型微显示器件的主要结构.利用Markus-Christian Amann等人提出的模型对器件电流注入后的空间分布进行了简单的理论分析,总结出了像素元和上隔离沟槽的理想尺寸分别是16 μm×16 μm和2 μm.简述了减薄GaAs衬底的作用,设计衬底电隔离沟槽宽度为5 μm.采用湿法腐蚀工艺进行器件结构制备,利用不同的腐蚀剂对金属层、p-GaP层、AlGaInP层和n-GaAs衬底层进行腐蚀.实验结果表明,腐蚀后的沟槽形貌较好,其深度和宽度可以达到设计要求.

关键词: 发光二极管阵列 , 微显示器件 , 隔离沟槽 , 湿法腐蚀

Martensitic Transformation in Fe-Mn-Si Based Shape Memory Alloys

T.Y.Hsu XU Zuyao

材料科学技术(英)

The critical driving force for martensitic transformation fcc (γ)→hcp(ε) in ternary Fe-Mn-Si alloys increases with the content of Mn and decreases with that of Si. Thermodynamical prediction of MS in ternary Fe-Mn-Si alloys is established. The fcc (γ)®hcp(ε) martensitic transformation in Fe-Mn-Si is a semi-thermoelastic and the nucleation process does not strongly depend on soft mode. Nucleation occurs directly through an overlapping of stacking fault rather than pole mechanism, and it is suggested that stacking fault energy (SFE) is the main factor controlling nucleation. Based on the phenomenological theory of martensite crystallography, a shuffle on (0001)hcp plane is required when d111¹d0002. The derived principal strain in Bain distortion is smaller, i.e., more reasonable than the values given by Christian. Alloying elements strengthening the austenite, lowering SFE of γ phase and reducing TγN temperature may be beneficial to shape memory effect (SME) of Fe-Mn-Si based alloys. Accordingly, Fe-Mn-Si-RE and Fe-Mn-Si-Cr-N (or Fe-Mn-Si-Ni-Cr-N) are worthy to be recommended as shape memory materials with improved SME.

关键词:

界面过程控制生长≠扩散控制

侯增寿 , 赵兴国 , 侯文义 , 梁伟

材料热处理学报 doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2005.03.003

应用经典扩散理论数学模型及前人和作者测定的数据,对纯铁块状及形成等轴α相的相变动力学进行分析,结果表明,这两种相变都不属于扩散型.将动力学分析取得的相关数据代入界面过程控制相变数学模型,求得γ→α(等轴晶)的激活能为193~198kJ/mol,小于γ铁的自扩散激活能(270kJ/mol),而与其相界扩散激活能相近(152~172kJ/mol).作者认为,Christian将多形性转变、块状转变、再结晶、晶粒长大、有序化等无成分变化的非切变型相变一并划入界面过程控制类是恰当的.由于短程输送涵义易于混淆,不宜用于相变分类.界面过程控制的细节应是"半无序微位移"机制.

关键词: 固态相变 , 短程输送 , 界面过程控制 , 扩散

V/P复合氧化物上C-H键活化的密度泛函研究

傅钢 , 袁汝明 , 汪佩 , 万惠霖

催化学报 doi:10.1016/S1872-2067(15)60905-6

选择氧化催化剂通常为多组分复合氧化物.一般认为,高价过渡金属的端末双键氧(M=O)是烷烃活化的中心,而非金属端氧(NM=O)与烷烃活化无关.但近期的理论研究发现,复合氧化物中非金属端氧也可能参与烷烃活化.本文采用密度泛函方法(B3LYP)对比V=O和P=O的脱氢活性,并深入揭示二者的差异. H脱除反应可以视为是质子偶联电子传递的过程.对于V/P复合氧化物, V5+充当电子的受体,而V=O和P=O均可接受质子.由于P=O具有更强的质子化能力,导致PO–H键能比VO–H有利6–10 kcal/mol.对于烷烃活化, V=O和P=O脱氢的能垒均可与反应焓变很好地关联,但二者线性回归的截距相差6.2 kcal/mol,说明在相同的焓驱动下, P=O脱氢需要克服更高的能垒.根据Marcus模型,反应的能垒不仅取决去反应焓变,还与内部重组能有关.计算表明,在脱氢过程中, P=O需克服的重组能为128–140 kcal/mol,比V=O过程高出21–23 kcal/mol.这很好地解释了前面的计算结果.应该指出的是,除了反应热力学驱动和重组能外,在势能曲线相交处的电子耦合作用(?HAB?)亦对能量有一定的影响.丁烷选择氧化制顺酐可能经过2-丁烯,丁二烯,2,5-二氢呋喃和丁烯酸内酯等一系列中间体,共有8个H原子在反应过程中需要脱除.对于丁烷的脱氢, P=O的能垒仅比V=O低1.3 kcal/mol,说明初始反应时二者是竞争的.但对于2-丁烯和2,5-二氢呋喃,二者活化能的差距增加为6–7 kcal/mol,说明这时P=O脱氢将占主导.而对丁烯酸内酯活化,二者活化能的差异又缩小到2.5 kcal/mol,表明V=O又具有一定的竞争力.事实上,这种能垒的差异与端氧的亲核性密切相关.P=O更具亲核性,因此有利于被更具酸性的C–H键进攻.根据Evens的估计,烷烃C–H键的pKa为50左右,而烯丙基性C–H为43.这就很好地解释了为什么2-丁烯和2,5-二氢呋喃更容易和P=O发生反应,而丁烷脱氢二者差异不大的原因.这些理论研究可以加深我们对复合氧化物催化剂上活性位点的认识,并为催化剂的理性设计提供理论支撑.

关键词: 密度泛函理论 , 选择氧化 , 轻质烷烃 , 氢脱除 , 钒磷复合氧化物 , 簇模型

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